TFT液晶顯示屏制程工藝有以下幾局部：在 TFT 基板上構(gòu)成 TFT 陣列；在彩色濾光片基板上構(gòu)成彩色濾光圖案及 ITO 導(dǎo)電層；用兩塊基板構(gòu)成液晶盒；裝置外圍電路、組裝背光源等的模塊組裝。
1. 在TFT基板上構(gòu)成TFT 陣列的工藝
現(xiàn)已完成產(chǎn)業(yè)化的 TFT 類型包括：非晶硅 TFT （ a-Si TFT ）、多晶硅 TFT （ p-Si TFT ）、單晶硅 TFT(c-Si TFT) 幾種。目前運(yùn)用多的仍是 a-Si TFT 。
a-Si TFT 的制造工藝是先在硼硅玻璃基板上濺射柵極資料膜，經(jīng)掩膜曝光、顯影、干法蝕刻后構(gòu)成柵極布線圖案。普通掩膜曝光用步進(jìn)曝光機(jī)。第二步是用 PECVD 法停止連續(xù)成膜，構(gòu)成 SiNx 膜、非摻雜 a-Si 膜，摻磷 n+a-Si 膜。然后再停止掩膜曝光及干法蝕刻構(gòu)成 TFT 局部的 a-Si 圖案。第三步是用濺射成膜法構(gòu)成透明電極（ ITO 膜），再經(jīng)掩膜曝光及濕法蝕刻構(gòu)成顯現(xiàn)電極圖案。第四步柵極端部絕緣膜的接觸孔圖案構(gòu)成則是運(yùn)用掩膜曝光及干法蝕刻法。第五步是將 AL 等停止濺射成膜，用掩膜曝光、蝕刻構(gòu)成 TFT 的源極、漏極以及信號(hào)線圖案。用 PECVD 法構(gòu)成維護(hù)絕緣膜，再用掩膜曝光及干法蝕刻停止絕緣膜的蝕刻成形， ( 該維護(hù)膜用于對(duì)柵極以及信號(hào)線電極端部和顯現(xiàn)電極的維護(hù) ) 。至此，整個(gè)工藝流程完成。
TFT 陣列工藝是 TFT-LCD 制造工藝的關(guān)鍵 , 也是設(shè)備投資的局部。整個(gè)工藝請(qǐng)求在很高的凈化條件（例如 10 級(jí)）下停止。
2. 在彩色濾光片（ CF ）基板上構(gòu)成彩色濾光圖案的工藝
彩色濾光片著色局部的構(gòu)成辦法有染料法、顏料分散法、印刷法、電解堆積法、噴墨法。目前以顏料分散法為主。
顏料分散法的第一步是將顆粒平均的微細(xì)顏料（均勻粒徑小于 0.1 μ m ） (R 、 G 、 B 三色 ) 分散在透明感光樹脂中。然后將它們依次用涂敷、曝光、顯影工藝辦法，依次構(gòu)成 R. G. B 三色圖案。在制造中運(yùn)用光蝕刻技術(shù)，所用安裝主要是涂敷、曝光、顯影安裝。
為了避免漏光，在 RGB 三色接壤處普通都要加黑矩陣（ BM ）。以往多用濺射法構(gòu)成單層金屬鉻膜，如今也有改用金屬鉻和氧化鉻復(fù)合型的 BM 膜或樹脂混合碳的樹脂型 BM 。
此外，還需求在 BM 上制做一層維護(hù)膜及構(gòu)成 IT0 電極 , 由于帶有彩色濾光片的基板是作為液晶屏的前基板與帶有 TFT 的后基板一同構(gòu)成液晶盒。所以必需關(guān)注好定位問題，使彩色濾光片的各單元與 TFT 基板各像素相對(duì)應(yīng)。
3. 液晶盒的制備工藝
首先是在上下基板外表分別涂敷聚酰亞胺膜并經(jīng)過摩擦工藝，構(gòu)成可誘導(dǎo)分子按請(qǐng)求排列的取向膜。之后在 TFT 陣列基板周邊布好密封膠資料，并在基板上噴灑襯墊。同時(shí)在 CF 基板的透明電極末端涂布銀漿。然后將兩塊基板對(duì)位粘接，使 CF 圖案與 TFT 像素圖案逐個(gè)對(duì)正，再經(jīng)熱處置使密封資料固化。在印刷密封資料時(shí)，需留下注入口，以便抽真空灌注液晶。
近年來 , 隨著技術(shù)進(jìn)步和基板尺寸的不時(shí)加大 , 在盒的制做工藝上也有很大的改良 , 比擬有代表性的是灌晶方式的改動(dòng) , 從原來的成盒后灌注改為 ODF 法 , 即灌晶與成盒同步停止。另外 . 墊襯方式也不再采用傳統(tǒng)的噴灑法 , 而是直接在陣列上用光刻法制造。
4. 外圍電路、組裝背光源等的模塊組裝工藝
在液晶盒制造工藝完成后，在面板上需求裝置外圍驅(qū)動(dòng)電路，再在兩塊基板外表貼上偏振片。假如是透射型 LCD. 還要裝置背光源。
資料和工藝是影響產(chǎn)品性能的兩個(gè)主要要素，TFT-LCD 經(jīng)過上面四道主要制程，大量冗雜的制造工藝才構(gòu)成我們所看到的產(chǎn)品。
賀先生